2. QARıŞıQ KEÇIRICILIK
OBLASTı
• Kristallarda defektlər və kənar maddə atomları olur
• Tərkibin stexiometriyadan kənara çıxmasına yarımkeçiricidə kənar qarışıq kimi
baxılır
• Kənar qarışıqlardan tam azad edilmiş ideal kristal almaq mümkün deyil
• Məhz məxsusi keçiricilik oblastına kimi yarımkeçiricilər elektriki bu kənar
qarışıqların hesabına keçirir
4. ELEKTROAKTIV QARIŞıQLAR• Yarımkeçiricilərin elektrik keçiriciliyinə təsir etməklə onun
tipini və qiymətini dəyişir
• Donor -Donorların keçircilik zolağına elektron verməsi üçün
lazım olan enerjiyə donorun aktivləşmə enerjisi deyilir (n-tip)
• Akseptor -Akseptorların energetik səviyyəsilə valent zolağının
yuxarı sərhəddi arasındakı fərqə akseptorun aktivləşmə
enerjisi deyilir (p-tip)
Donorlar öz elektronlarını keçiricilik zolağına
verdikdə onların öz energetik səviyyələrində
müsbət yüklü deşiklər yaranır
Akseptorlar valent zonasından elektronu
alır və mənfi yüklü hissəciyə çevrilir
5. ƏVƏZETMƏ BƏRK MƏHLULU
• Kənar qarışığın əsas maddənin atomlarını kristal qəfəsində əvəz etməsi ilə əmələ
gələn bərk məhlula -əvəzetmə bərk məhlulu deyilir
Silisiumu fosforla aşqarladıqda
n-keçiricliyinin yaranması
Silisiumu aluminiumla
asqarladıqda p-keçirciliyinin
yaranması
6. DAXILOLMA BƏRK MƏHLULU
• Əgər kənar qarışıq atomları əsas maddə qəfəsindəki boşluqlara
girərsə bu zaman əmələ gələn bərk məhlula daxilolma bərk
məhlulu deyilir .
• Birləşmədə müsbət yüklü atom şərti olaraqkation törədici
• Mənfi yüklü atom isə anion törədici adlanır .